Samsung приступила к производству чипов DRAM объёмом 12 ГБ для смартфонов

Ещё несколько лет назад 1 ГБ оперативной памяти считалось вполне достаточно для мобильных устройств. В конце концов, у всех есть компьютеры для выполнения задач, которым требуется большей мощности. Теперь это в прошлом, современные смартфоны требуют большего объёма оперативной памяти. Последние флагманские устройства, такие как Xiaomi Mi 9 и Samsung Galaxy S10+, выпускаются в конфигурациях с 12 ГБ (!) ОЗУ и, похоже, в скором времени таких смартфонов будет больше.

Компания Samsung объявила о начале массового производства чипов памяти LPDDR4X объёмом 12 ГБ для использования в смартфонах. Такая ёмкость была достигнута благодаря объединению шести 16-гигабитных микросхем LPDDR4X, выполненных по нормам 10-нм техпроцесса второго поколения, в один чип толщиной 1,1 мм. Это технология позволяет достичь скорости передачи данных 34,1 Гбит/с при минимальном увеличении энергопотребления. Новые чипы DRAM в сочетании с чипами внутренней памяти eUFS 3.0 объёмом 512 ГБ производства Samsung будут как раз кстати для использования в смартфонах премиум-класса с пятью камерами, большими дисплеями (возможно, даже с несколькими дисплеями), поддержкой ИИ и 5G.



Samsung планирует увеличить объём поставок модулей DRAM на 8 и 12 ГБ в течение второй половины 2019 года, чтобы утроить существующее предложение для удовлетворения ожидаемо высокого спроса.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: